Mga transistor ng bipolar at field - ano ang pagkakaiba

Kasalukuyan o bukid

Karamihan sa mga tao, isang paraan o iba pang nakipag-usap sa mga elektroniko, ang pangunahing aparato ng field-effect at bipolar transistors ay dapat malaman. Hindi bababa sa mula sa pangalang "field effect transistor", malinaw na kinokontrol ito ng patlang, ang electric field ng shutter, habang bipolar transistor na kinokontrol ng base kasalukuyang.

Kasalukuyan at larangan - ang pagkakaiba ay kardinal. Para sa mga transistor ng bipolar, ang kasalukuyang kolektor ay kinokontrol sa pamamagitan ng pagbabago ng control kasalukuyang ng base, habang upang makontrol ang kanal ng kasalukuyang tubo ng transistor na epekto, sapat na upang baguhin ang boltahe na inilalapat sa pagitan ng gate at ang mapagkukunan, at walang control kasalukuyang mismo ang kinakailangan.

Mas mabilis ang mga FET

Alin transistor mas mahusay na larangan o bipolar? Ang bentahe ng mga transistor na patlang ng epekto, kung ihahambing sa mga bipolar, ay halata: ang mga transistor na epekto ng larangan ay may mataas na pagtutol ng input sa direktang kasalukuyang, at kahit na ang kontrol sa isang mataas na dalas ay hindi humantong sa mga makabuluhang gastos sa enerhiya.

Ang akumulasyon at resorption ng mga operator ng singil sa minorya ay wala sa mga trans-transpormasyong patlang, na ang dahilan kung bakit napakataas ng kanilang bilis (tulad ng nabanggit ng mga nag-develop ng mga kagamitan sa kuryente). At dahil ang paglilipat ng mga pangunahing carriers ay may pananagutan para sa pagpapalakas sa mga trans-transpormasyong patlang, ang itaas na limitasyon ng epektibong pagpapalakas ng mga transistor ng epekto sa bukid ay mas mataas kaysa sa mga bipolar.

Narito din namin tandaan ang mataas na temperatura katatagan, isang mababang antas ng pagkagambala (dahil sa kakulangan ng iniksyon ng mga minorya ng carriers singil, tulad ng nangyayari sa mga bipolar carriers), at ekonomiya sa mga tuntunin ng pagkonsumo ng enerhiya.

Iba't ibang reaksyon sa init

Kung ang bipolar transistor ay kumakain sa panahon ng pagpapatakbo ng aparato, pagkatapos ang pagtaas ng kolektor-emitter ay kasalukuyang nagdaragdag, iyon ay, ang koepisyent ng temperatura ng paglaban ng mga transistor ng bipolar.

Sa bukid, ang kabaligtaran ay totoo - ang koepisyent ng temperatura ng mapagkukunan ng alisan ng tubig ay positibo, iyon ay, na may pagtaas ng temperatura, ang paglaban ng channel ay nagdaragdag din, iyon ay, ang kasalukuyang pinagmumulan ng alisan ng tubig. Ang sitwasyong ito ay nagbibigay sa transistor ng epekto sa larangan ng isa pang higit na bentahe sa mga bipolar: ang mga transistor na epekto ng patlang ay maaaring ligtas na konektado nang magkatulad, at ang pag-level ng mga resistors sa mga circuit ng kanilang mga kanal ay hindi kinakailangan, dahil alinsunod sa pagtaas ng pag-load, awtomatikong tataas din ang paglaban sa channel.

Kaya upang makamit ang mataas na paglilipat ng mga alon, madali mong mai-dial ang isang pinagsama-samang susi mula sa ilang mga paralel na epekto ng transistor, na ginagamit nang praktikal, halimbawa sa mga inverters (tingnan - Bakit ang mga modernong inverters ay gumagamit ng mga transistor kaysa sa mga thyristors).

Ngunit ang mga bipolar transistors ay hindi maaaring maging kahanay lamang, kailangan nila ng kinakailangang mga resistor na kasalukuyang leveling sa mga circuit ng mga emitters. Kung hindi man, dahil sa isang kawalan ng timbang sa isang malakas na composite key, ang isa sa mga bipolar transistors ay magtatagal o mas bago ay may hindi maibabalik na thermal breakdown. Ang pinangalanan na pinagsama-samang problema ay halos hindi na pinagbantaan ng mga key composite ng patlang. Ang mga tampok na katangian ng thermal ay nauugnay sa mga katangian ng isang simpleng n- at p-channel at p-n kantongiba ang panimula.

Mga saklaw ng mga iyon at iba pang mga transistor

Ang mga pagkakaiba sa pagitan ng field-effects at bipolar transistors ay malinaw na naghihiwalay sa kanilang larangan ng aplikasyon. Halimbawa, sa mga digital na circuit, kung saan kinakailangan ang minimum na kasalukuyang pagkonsumo sa estado ng standby, ang mga transistor na epekto sa larangan ay ginagamit nang mas malawak ngayon. Sa mga analog na microcircuits, ang mga transistor na epekto ng larangan ay nakakatulong upang makamit ang mataas na pagkakasunud-sunod ng mga katangian na makakuha sa isang malawak na hanay ng mga boltahe ng supply at output.

Ang mga circuit ng reel-to-reel ay maginhawa na ipinatupad ngayon sa mga transistor na may epekto sa larangan, dahil ang saklaw ng mga boltahe ng output bilang mga signal para sa mga input ay madaling nakamit, halos magkakasabay sa antas ng boltahe ng supply. Ang ganitong mga circuit ay maaaring kumonekta lamang sa output ng isa na may input ng iba pa, at walang mga limitasyon ng boltahe o mga divider sa mga resistors ay kinakailangan.

Tulad ng para sa mga transistor ng bipolar, ang kanilang mga karaniwang application ay mananatili: mga amplifier, ang kanilang mga yugto, modulators, detector, logic inverters, at transistor logic circuit.

Panalo ng patlang

Ang mga natitirang halimbawa ng mga aparato na binuo sa mga epekto ng transistors ay mga elektronikong relo at remote control para sa tv. Dahil sa paggamit ng mga istruktura ng CMOS, ang mga aparatong ito ay maaaring gumana ng hanggang sa maraming taon mula sa isang pinaliit na mapagkukunan ng kuryente - isang baterya o nagtitipon, dahil sa praktikal na hindi sila kumokonsumo ng enerhiya.

Sa kasalukuyan, ang mga transistor ng epekto ng patlang ay lalong ginagamit sa iba't ibang mga aparato sa radyo, kung saan matagumpay na nila itong pinalitan ang mga bipolar. Ang kanilang paggamit sa mga aparato ng paghahatid ng radyo ay nagbibigay-daan upang madagdagan ang dalas ng signal ng carrier, na nagbibigay ng mga kagamitang tulad ng mataas na resistensya sa ingay.

Ang pagkakaroon ng mababang pagtutol sa bukas na estado, ginagamit ang mga ito sa mga yugto ng mga terminal ng mga high-power audio frequency amplifier (Hi-Fi), kung saan, muli, ang mga bipolar transistors at kahit na mga electronic tubes ay matagumpay na napalitan.

Sa mga aparato na may mataas na kapangyarihan, tulad ng mga malambot na nagsisimula, Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) - Ang mga aparato na pinagsasama ang parehong bipolar at field effect transistors ay matagumpay na lumisan mga thyristors.

Tingnan din: Mga uri ng transistor at ang kanilang mga tampok